四氟化碳-四氟化碳廠家-安徽譜純|貨源充足：

對于硅和二氧化硅體系，采用CF4-O2反應離子刻蝕時，通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。四氟化碳的熱穩(wěn)定性更好。化合物的熱穩(wěn)定性主要與化學鍵的鍵能及鍵長有關。零下198 °C時，四氟化碳具有單斜的結構，晶格常數(shù)為a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1 nm), β = 118.73° 。四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源，用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。

四氟化碳有時會用作低溫冷卻劑。它可用于電路板的制造，以及制造絕緣物質(zhì)和半導體。它是用作氣體蝕刻劑及等離子體蝕刻版。四氯1化碳與氟化1氫的反應在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進行，反應后的氣體經(jīng)水洗、堿洗除去酸性氣體，再通過冷凍，用硅膠除去氣體中的水分經(jīng)精餾而得成品。含鎂大于2%的合金不能用。在高溫，一些金屬起加速CF4分解的催化作用。按其催化作用增長的次序由小到大地排列則如下：因科鎳合金、奧氏體不銹鋼、鎳、鋼、鋁、銅、青銅、黃銅、銀。

四氟化碳貯存注意事項：氣瓶使用和檢驗遵照《氣瓶安全監(jiān)察規(guī)程》的規(guī)定。氣瓶內(nèi)的氣體不能全部用盡，應該留不小于0.04MPa剩余壓力。四氟化碳對于硅和二氧化硅體系，采用CF4-H2反應離子刻蝕時，通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。四氟化碳是當前微電子工業(yè)中應用量高的等離子體蝕刻氣體，被廣泛應用在硅、氮化硅、磷硅玻璃等薄膜材料的蝕刻。除此之外，四氟化碳還能在電子電器表面清洗、激光、低溫制冷、太陽能電池等領域有著應用。

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